TSV 蚀刻、通孔平面揭露式硅蚀刻或晶圆减薄蚀刻
SPTS Omega® Plasma Etch
针对硅的等离子蚀刻系统
SPTS Omega® 等离子蚀刻系统包括 Rapier™ 等一系列应用于先进封装的高速硅蚀刻工艺腔体。Rapier™ 蚀刻腔体可用于在硅通孔或插入式 2.5D/3D-IC 封装应用中，刻蚀出垂直或锥形、高深宽比的通孔或沟槽，以及用于从晶圆背面通过平面揭露式蚀刻使孔中填充的铜柱露出。Rapier™ XE 工艺腔体结合了均匀性和蚀刻速率可调的工艺配方，其应用于平面硅刻蚀的刻蚀速率通常比同类系统快 2-4 倍。通过加入蚀刻停止层，同样的工艺可用于将晶圆极端减薄至 5µm 甚至 0.5µm。此外，KLA 还为 TSV 蚀刻、平面揭露式蚀刻及极端减薄蚀刻提供了独特的、受专利保护的蚀刻终点检测方案，实现了大规模量产中的最佳产出和良率。
SPTS Mosaic™ Plasma Dicing
等离子切割系统
SPTS Mosaic™ Plasma Dicing 系统提供了机械切割或激光切割技术的替代方案，用于从硅晶圆（直径高至 300 毫米，固定于框架上）中分离出晶粒。这种方案提供了一个低损伤、干法化学刻蚀的工艺，可增加晶粒强度和避免颗粒污染。当晶圆较薄或含有易碎的 Low-k 薄膜时，以及对于晶粒与晶圆键合的结构而言，这些优点尤其重要。作为一种并行工艺，等离子切割在切割小晶粒和/或薄晶圆时具有显著的产量、良率和成本优势。更窄的切割道允许每片晶圆有更多晶粒，并且没有对晶粒形状的限制，可以优化晶圆设计布局。
晶粒分离，特别适用于非常小的晶粒、薄晶圆或晶粒与晶圆键合的结构
SPTS Sigma® PVD
适用于金属沉积的物理气相沉积系统
SPTS Sigma® PVD 系统可用于在硅或模具晶圆上沉积金、铝、钛、钛钨和铜等金属。先进封装技术中采用的有机钝化和新型基板材料对凸块下金属化 (UBM) 和再分布层 (RDL) 提出了技术挑战。Sigma® PVD 系统采用创新的脱气和预清洁技术，可产生始终如一的低 Rc 值，同时还能提供比其他 PVD 系统高 2 倍的吞吐量。在 2.5D 和 3D-IC 应用中，KLA 的先进 Hi-Fill® 电离 PVD 源可在大高宽比 TSV 中提供世界一流的铜阻挡层/铜种覆盖率。
硅和 FO-WLP 模具晶圆、TSV 阻挡层/种子层上的凸块下金属 (UBM) 和重新分布层 (RDL)
SPTS Osprey® PECVD
等离子体增强化学气相沉积系统
对于先进封装应用，SPTS Osprey® PECVD 系统提供与 300 毫米键合基底和模具兼容的低温沉积工艺。Osprey® PECVD 可在低至 125°C 的沉积温度下形成经过生产验证的优质电介质薄膜。SiN – SiO 叠层可以沉积到同一 PECVD 腔室中，随着时间的推移，具有高度可靠的电气性能和稳定性。薄膜和叠层应力可在广泛的范围内调整，与 PECVD 系统竞品相比，经过优化的腔室硬件最大限度地减小了晶片内的应力范围。可根据需求提供单晶片和多晶片脱气选项，用于加热脱气基底并提高沉积薄膜质量。经过优化的 SiO、TEOS SiO、SiCN 和其他先进电介质薄膜可用于混合键合以及芯片间隙填充应用。
后硅通孔保护层、通孔暴露钝化、用于薄化晶片的应力补偿层、用于芯片到晶片键合的间隙填充厚氧化膜、用于熔融键合的电介质